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HXY MOSFET HCG65140DAA
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HCG65140DAA |
| Código da Peça EBEE | E822396444 |
| Pacote | DFN-8(8x8) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7944 | $ 2.7944 |
| 10+ | $2.4046 | $ 24.0460 |
| 30+ | $2.1726 | $ 65.1780 |
| 100+ | $1.9393 | $ 193.9300 |
| 500+ | $1.8303 | $ 915.1500 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Nitride de Gálio (GaN) ,GaN Transistores (GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HCG65140DAA | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 100mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
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| 30+ | $2.1726 | $ 65.1780 |
| 100+ | $1.9393 | $ 193.9300 |
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