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GOSEMICON GBG65200NMAR
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GBG65200NMAR |
| Código da Peça EBEE | E828324645 |
| Pacote | PDFN-9L(8x8) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | PDFN-9L(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>Em Estoque: 434
Mínimo: 1Múltiplos: 1
Preço Unitário
$ 1.4867
Preço Ext.
$ 1.4867
Pode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4867 | $ 1.4867 |
| 10+ | $1.2296 | $ 12.2960 |
| 30+ | $1.0885 | $ 32.6550 |
| 100+ | $0.9293 | $ 92.9300 |
| 500+ | $0.8579 | $ 428.9500 |
| 1000+ | $0.8263 | $ 826.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Nitride de Gálio (GaN) ,GaN Transistores (GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | GOSEMICON GBG65200NMAR | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 140mΩ | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V |
Guia de Compras
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