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GOSEMICON GBG65200NMAR
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GBG65200NMAR |
| Código da Peça EBEE | E828324645 |
| Pacote | PDFN-9L(8x8) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | PDFN-9L(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3418 | $ 1.3418 |
| 10+ | $1.1097 | $ 11.0970 |
| 30+ | $0.9824 | $ 29.4720 |
| 100+ | $0.8387 | $ 83.8700 |
| 500+ | $0.7743 | $ 387.1500 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Nitride de Gálio (GaN) ,GaN Transistores (GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | GOSEMICON GBG65200NMAR | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 140mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 68pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.9nC |
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| 10+ | $1.1097 | $ 11.0970 |
| 30+ | $0.9824 | $ 29.4720 |
| 100+ | $0.8387 | $ 83.8700 |
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