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Tokmas CID18N65D5
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CID18N65D5 |
| Código da Peça EBEE | E822446734 |
| Pacote | DFN-8(5x6) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | DFN-8(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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189 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3450 | $ 1.3450 |
| 10+ | $1.1041 | $ 11.0410 |
| 30+ | $0.9717 | $ 29.1510 |
| 100+ | $0.8472 | $ 84.7200 |
| 500+ | $0.7818 | $ 390.9000 |
| 1000+ | $0.7515 | $ 751.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | Tokmas CID18N65D5 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 100mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
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189 Stock for Shipping Fast
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| 1+ | $1.3450 | $ 1.3450 |
| 10+ | $1.1041 | $ 11.0410 |
| 30+ | $0.9717 | $ 29.1510 |
| 100+ | $0.8472 | $ 84.7200 |
| 500+ | $0.7818 | $ 390.9000 |
| 1000+ | $0.7515 | $ 751.5000 |
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