Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
Tokmas CID10N65F
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CID10N65F |
| Código da Peça EBEE | E822446732 |
| Pacote | TO-220F-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-220F-3L GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>430 Em Estoque para Envio Rápido
430 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0766 | $ 1.0766 |
| 10+ | $0.8814 | $ 8.8140 |
| 50+ | $0.7746 | $ 38.7300 |
| 100+ | $0.6537 | $ 65.3700 |
| 500+ | $0.5995 | $ 299.7500 |
| 1000+ | $0.5747 | $ 574.7000 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | Tokmas CID10N65F | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@6V | |
| Operating Temperature - | -50℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
Guia de Compras
Expandir
430 Stock for Shipping Fast
430 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0766 | $ 1.0766 |
| 10+ | $0.8814 | $ 8.8140 |
| 50+ | $0.7746 | $ 38.7300 |
| 100+ | $0.6537 | $ 65.3700 |
| 500+ | $0.5995 | $ 299.7500 |
| 1000+ | $0.5747 | $ 574.7000 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
