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Tokmas CID10N65E3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CID10N65E3 |
| Código da Peça EBEE | E841369699 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-252 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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667 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5363 | $ 0.5363 |
| 10+ | $0.4714 | $ 4.7140 |
| 30+ | $0.4382 | $ 13.1460 |
| 100+ | $0.4066 | $ 40.6600 |
| 500+ | $0.4018 | $ 200.9000 |
| 1000+ | $0.3907 | $ 390.7000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | Tokmas CID10N65E3 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 160mΩ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
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| 30+ | $0.4382 | $ 13.1460 |
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