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NXP Semicon A3G26D055N-100
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | A3G26D055N-100 |
| Código da Peça EBEE | E83288712 |
| Pacote | PDFN-6(7x6.5) |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | PDFN-6(7x6.5) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $316.5952 | $ 316.5952 |
| 200+ | $122.5182 | $ 24503.6400 |
| 500+ | $118.2136 | $ 59106.8000 |
| 1000+ | $116.0859 | $ 116085.9000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Nitride de Gálio (GaN) ,GaN Transistores (GaN HEMT) | |
| RoHS |
Guia de Compras
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $316.5952 | $ 316.5952 |
| 200+ | $122.5182 | $ 24503.6400 |
| 500+ | $118.2136 | $ 59106.8000 |
| 1000+ | $116.0859 | $ 116085.9000 |
