10% off
Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
NITRIDE YHJ-65P150AMC
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | YHJ-65P150AMC |
| Código da Peça EBEE | E822458936 |
| Pacote | DFN-8(8x8) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>1620 Em Estoque para Envio Rápido
1620 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8303 | $ 0.8303 |
| 10+ | $0.7493 | $ 7.4930 |
| 30+ | $0.7052 | $ 21.1560 |
| 100+ | $0.6540 | $ 65.4000 |
| 500+ | $0.6327 | $ 316.3500 |
| 1000+ | $0.6214 | $ 621.4000 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | NITRIDE YHJ-65P150AMC | |
| RoHS | ||
| Type | - | |
| RDS(on) | 150mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 505pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 29pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC |
Guia de Compras
Expandir
1620 Stock for Shipping Fast
1620 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8303 | $ 0.8303 |
| 10+ | $0.7493 | $ 7.4930 |
| 30+ | $0.7052 | $ 21.1560 |
| 100+ | $0.6540 | $ 65.4000 |
| 500+ | $0.6327 | $ 316.3500 |
| 1000+ | $0.6214 | $ 621.4000 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
