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Wolfspeed C3M0075120J
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | C3M0075120J |
| Codice Parte EBEE | E85567652 |
| Confezione | TO-263-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | D2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $10.7154 | $ 107.1540 |
| 50+ | $9.6521 | $ 482.6050 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Wolfspeed C3M0075120J | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 90mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113.6W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC |
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