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SUPSiC GC3M0016120D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GC3M0016120D |
| Codice Parte EBEE | E87435039 |
| Confezione | TO247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $16.2961 | $ 162.9610 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | SUPSiC GC3M0016120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 16mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 556W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.085nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF | |
| Gate Charge(Qg) | 207nC |
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