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Power X KXMW120R80T3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | KXMW120R80T3 |
| Codice Parte EBEE | E820607110 |
| Confezione | TO-247-3L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.0573 | $ 7.0573 |
| 10+ | $6.1859 | $ 61.8590 |
| 30+ | $5.6550 | $ 169.6500 |
| 90+ | $5.2093 | $ 468.8370 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Power X KXMW120R80T3 | |
| RoHS | ||
| Power Dissipation | 251W | |
| Continuous Drain Current | 49A | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain Source Voltage | 1200V |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $5.6550 | $ 169.6500 |
| 90+ | $5.2093 | $ 468.8370 |
