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Tokmas CI19N120SM
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CI19N120SM |
| Codice Parte EBEE | E82959833 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1210 | $ 3.1210 |
| 10+ | $2.7098 | $ 27.0980 |
| 30+ | $2.0063 | $ 60.1890 |
| 90+ | $1.7428 | $ 156.8520 |
| 510+ | $1.6240 | $ 828.2400 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CI19N120SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 165mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 36pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 950pF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC |
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| 10+ | $2.7098 | $ 27.0980 |
| 30+ | $2.0063 | $ 60.1890 |
| 90+ | $1.7428 | $ 156.8520 |
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