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AnBon ASXM028120P
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | ASXM028120P |
| Codice Parte EBEE | E829118251 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2176 | $ 6.2176 |
| 10+ | $5.1220 | $ 51.2200 |
| 30+ | $4.5918 | $ 137.7540 |
| 90+ | $4.1471 | $ 373.2390 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | AnBon ASXM028120P | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 42mΩ@18V,40A | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.8pF | |
| Number | - | |
| Pd - Power Dissipation | 500W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 88A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.29nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 124pF | |
| Gate Charge(Qg) | 133nC |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $6.2176 | $ 6.2176 |
| 10+ | $5.1220 | $ 51.2200 |
| 30+ | $4.5918 | $ 137.7540 |
| 90+ | $4.1471 | $ 373.2390 |
