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onsemi NTH4L045N065SC1
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTH4L045N065SC1 |
| Codice Parte EBEE | E82902168 |
| Confezione | TO-247-4L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.6365 | $ 14.6365 |
| 10+ | $13.9832 | $ 139.8320 |
| 30+ | $12.8510 | $ 385.5300 |
| 90+ | $11.8641 | $ 1067.7690 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | onsemi NTH4L045N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 187W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Output Capacitance(Coss) | 162pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $12.8510 | $ 385.5300 |
| 90+ | $11.8641 | $ 1067.7690 |
