| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CI90N120SM |
| Codice Parte EBEE | E85364636 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1314 | $ 12.1314 |
| 10+ | $10.6433 | $ 106.4330 |
| 30+ | $9.7305 | $ 291.9150 |
| 90+ | $8.9647 | $ 806.8230 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CI90N120SM | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| La dissipazione di potenza | 463W | |
| Carica totale del cancello | 164nC | |
| Corrente di scarico continuo | 90A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 42.8pF | |
| La capacità di ingresso | 4700pF | |
| Capacità di uscita | 231pF | |
| La configurazione | - | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Resistenza al sisso-sorzio di scarico (15V) | - | |
| Resistenza al sisso-sorzia di scarico (18V) | - | |
| Resistenza al Saggio-Source On-State(20V) | 27mΩ | |
| Vgs (ss) | 2.5V | |
| Tipo incapsulato | Single Tube | |
| V (BR)DSS | 1200V | |
| Resistenza allo stato di drenaggio (10V) | - |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1314 | $ 12.1314 |
| 10+ | $10.6433 | $ 106.4330 |
| 30+ | $9.7305 | $ 291.9150 |
| 90+ | $8.9647 | $ 806.8230 |
