Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

Tokmas CI90N120SM


Produttore
Codice Parte Mfr.
CI90N120SM
Codice Parte EBEE
E85364636
Confezione
TO-247-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
Descrizione
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>
In Magazzino: 147
Minimo: 1Multipli: 1
Prezzo Unitario
$ 12.1314
Prezzo Tot.
$ 12.1314
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$12.1314$ 12.1314
10+$10.6433$ 106.4330
30+$9.7305$ 291.9150
90+$8.9647$ 806.8230
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaTokmas CI90N120SM
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃
La dissipazione di potenza463W
Carica totale del cancello164nC
Corrente di scarico continuo90A
Reverse Transfer Capacitance42.8pF
La capacità di ingresso4700pF
Capacità di uscita231pF
La configurazione-
Tipo di canale1 N-Channel
Resistenza al sisso-sorzio di scarico (15V)-
Resistenza al sisso-sorzia di scarico (18V)-
Resistenza al Saggio-Source On-State(20V)27mΩ
Vgs (ss)2.5V
Tipo incapsulatoSingle Tube
V (BR)DSS1200V
Resistenza allo stato di drenaggio (10V)-

Guida all’acquisto

Espandi