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Tokmas CI90N120SM
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CI90N120SM |
| Codice Parte EBEE | E85364636 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 1+ | $8.5656 | $ 8.5656 |
| 10+ | $7.4003 | $ 74.0030 |
| 30+ | $6.6858 | $ 200.5740 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CI90N120SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 27mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 42.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 463W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 90A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 231pF | |
| Gate Charge(Qg) | 164nC |
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