Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Tokmas CI72N170SM
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CI72N170SM |
| Codice Parte EBEE | E841782025 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>142 In Magazzino per Consegna Rapida
142 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5915 | $ 10.5915 |
| 10+ | $9.1261 | $ 91.2610 |
| 30+ | $8.2338 | $ 247.0140 |
| 90+ | $7.4844 | $ 673.5960 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CI72N170SM | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | - | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 6.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.55nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 165pF | |
| Gate Charge(Qg) | 193nC |
Guida all’acquisto
Espandi
142 Stock for Shipping Fast
142 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5915 | $ 10.5915 |
| 10+ | $9.1261 | $ 91.2610 |
| 30+ | $8.2338 | $ 247.0140 |
| 90+ | $7.4844 | $ 673.5960 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
