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Tokmas CI60N120SM4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CI60N120SM4 |
| Codice Parte EBEE | E82980704 |
| Confezione | TO-247-4L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 1+ | $4.2948 | $ 4.2948 |
| 10+ | $3.6994 | $ 36.9940 |
| 30+ | $3.1881 | $ 95.6430 |
| 90+ | $2.8309 | $ 254.7810 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CI60N120SM4 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 45mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 29pF | |
| Pd - Power Dissipation | 330W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.55nF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC |
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