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Tokmas CI60N120SM4


Produttore
Codice Parte Mfr.
CI60N120SM4
Codice Parte EBEE
E82980704
Confezione
TO-247-4L
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
Descrizione
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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In Magazzino: 371
Minimo: 1Multipli: 1
Prezzo Unitario
$ 7.1436
Prezzo Tot.
$ 7.1436
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$7.1436$ 7.1436
10+$6.3092$ 63.0920
30+$5.4948$ 164.8440
90+$5.0676$ 456.0840
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaTokmas CI60N120SM4
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+175℃
La dissipazione di potenza330W
Carica totale del cancello160nC
Corrente di scarico continuo60A
Reverse Transfer Capacitance29pF
La capacità di ingresso3550pF
La configurazione-
Tipo di canale1 N-Channel
Resistenza al sisso-sorzio di scarico (15V)-
Resistenza al sisso-sorzia di scarico (18V)-
Resistenza al Saggio-Source On-State(20V)45mΩ
Vgs (ss)2.5V
Tipo incapsulatoSingle Tube
V (BR)DSS1200V
Resistenza allo stato di drenaggio (10V)-

Guida all’acquisto

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