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Tokmas CI30N65SM
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CI30N65SM |
| Codice Parte EBEE | E83010930 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 1+ | $3.8534 | $ 3.8534 |
| 10+ | $3.3088 | $ 33.0880 |
| 30+ | $3.0786 | $ 92.3580 |
| 90+ | $2.7499 | $ 247.4910 |
| 510+ | $2.5991 | $ 1325.5410 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Tokmas CI30N65SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 65mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 77pF | |
| Pd - Power Dissipation | 171W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC |
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