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SUPSiC GC3M0120090D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GC3M0120090D |
| Codice Parte EBEE | E87435035 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | SUPSiC GC3M0120090D | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 120mΩ@15V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 97W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A | |
| Ciss-Input Capacitance | 414pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 48pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC |
Guida all’acquisto
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