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SUPSiC GC3M0080120K


Produttore
Codice Parte Mfr.
GC3M0080120K
Codice Parte EBEE
E821547378
Confezione
TO-247-4
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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10+$3.9884$ 39.8840
30+$3.5859$ 107.5770
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900+$2.9057$ 2615.1300
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaSUPSiC GC3M0080120K
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
La configurazione-
RDS (on)90mΩ
Temperatura di funzionamento --40℃~+175℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)2pF
Pd - Power Dissipation136W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3.6V
Current - Continuous Drain(Id)36A
Ciss-Input Capacitance1.39nF
Output Capacitance(Coss)58pF
Gate Charge(Qg)53nC

Guida all’acquisto

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