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SUPSiC GC3M0075120K


Produttore
Codice Parte Mfr.
GC3M0075120K
Codice Parte EBEE
E87435055
Confezione
TO247-4
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
TO247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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10+$4.6742$ 46.7420
30+$3.8534$ 115.6020
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900+$3.0913$ 2782.1700
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaSUPSiC GC3M0075120K
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
La configurazione-
RDS (on)75mΩ@15V
Temperatura di funzionamento --40℃~+175℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)2pF
Pd - Power Dissipation136W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Current - Continuous Drain(Id)32A
Ciss-Input Capacitance1.39nF
Output Capacitance(Coss)58pF
Gate Charge(Qg)53nC

Guida all’acquisto

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