| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GC3M0075120K |
| Codice Parte EBEE | E87435055 |
| Confezione | TO247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.4331 | $ 5.4331 |
| 10+ | $4.6742 | $ 46.7420 |
| 30+ | $3.8534 | $ 115.6020 |
| 90+ | $3.3977 | $ 305.7930 |
| 600+ | $3.1865 | $ 1911.9000 |
| 900+ | $3.0913 | $ 2782.1700 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | SUPSiC GC3M0075120K | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 75mΩ@15V | |
| Temperatura di funzionamento - | -40℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.4331 | $ 5.4331 |
| 10+ | $4.6742 | $ 46.7420 |
| 30+ | $3.8534 | $ 115.6020 |
| 90+ | $3.3977 | $ 305.7930 |
| 600+ | $3.1865 | $ 1911.9000 |
| 900+ | $3.0913 | $ 2782.1700 |
