Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
SUPSiC GC3M0065100K
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GC3M0065100K |
| Codice Parte EBEE | E87435037 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>158 In Magazzino per Consegna Rapida
158 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.0428 | $ 8.0428 |
| 10+ | $7.0232 | $ 70.2320 |
| 30+ | $6.2692 | $ 188.0760 |
| 90+ | $5.7476 | $ 517.2840 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | SUPSiC GC3M0065100K | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 65mΩ@15V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113.5W | |
| Drain to Source Voltage | 1kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 760pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 37nC |
Guida all’acquisto
Espandi
158 Stock for Shipping Fast
158 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.0428 | $ 8.0428 |
| 10+ | $7.0232 | $ 70.2320 |
| 30+ | $6.2692 | $ 188.0760 |
| 90+ | $5.7476 | $ 517.2840 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
