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SUPSiC GC3M0032120K
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GC3M0032120K |
| Codice Parte EBEE | E87435053 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $6.8292 | $ 68.2920 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | SUPSiC GC3M0032120K | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 32mΩ@15V | |
| Temperatura di funzionamento - | -40℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 283W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 63A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.357nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 129pF | |
| Gate Charge(Qg) | 118nC |
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