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SUPSiC GC2M1000170D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GC2M1000170D |
| Codice Parte EBEE | E87435057 |
| Confezione | TO247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | SUPSiC GC2M1000170D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 800mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 69W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 215pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 19pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
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