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SUPSiC GC2M0080120D


Produttore
Codice Parte Mfr.
GC2M0080120D
Codice Parte EBEE
E87435046
Confezione
TO247-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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TipoDescrizione
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CategoriaSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Scheda TecnicaSUPSiC GC2M0080120D
RoHS
TypeN-Channel
Configuration-
RDS(on)80mΩ@20V
Operating Temperature --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)7.5pF
Pd - Power Dissipation192W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.9V
Current - Continuous Drain(Id)36A
Ciss-Input Capacitance1.13nF
Output Capacitance(Coss)92pF
Gate Charge(Qg)71nC

Guida all’acquisto

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