| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTWA70N120G2V-4 |
| Codice Parte EBEE | E85268808 |
| Confezione | HiP-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $23.2782 | $ 23.2782 |
| 30+ | $22.4835 | $ 674.5050 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $23.2782 | $ 23.2782 |
| 30+ | $22.4835 | $ 674.5050 |
