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STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTWA60N120G2-4 |
| Codice Parte EBEE | E83281096 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $33.8274 | $ 33.8274 |
| 3+ | $30.5220 | $ 91.5660 |
| 30+ | $29.2499 | $ 877.4970 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4 | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 388W | |
| Corrente di scarico continuo | 60A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
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| 3+ | $30.5220 | $ 91.5660 |
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