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STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTWA40N120G2V-4 |
| Codice Parte EBEE | E85268807 |
| Confezione | HiP-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 100mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 277W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.45V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.233nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC |
Guida all’acquisto
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