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STMicroelectronics SCTWA35N65G2V
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTWA35N65G2V |
| Codice Parte EBEE | E83281008 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $14.6019 | $ 146.0190 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics SCTWA35N65G2V | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 67mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
Guida all’acquisto
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