Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTWA35N65G2V-4 |
| Codice Parte EBEE | E85268820 |
| Confezione | HiP-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.1305 | $ 8.1305 |
| 10+ | $7.0428 | $ 70.4280 |
| 30+ | $6.3787 | $ 191.3610 |
| 100+ | $5.8233 | $ 582.3300 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.1305 | $ 8.1305 |
| 10+ | $7.0428 | $ 70.4280 |
| 30+ | $6.3787 | $ 191.3610 |
| 100+ | $5.8233 | $ 582.3300 |
