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STMicroelectronics SCTW60N120G2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTW60N120G2 |
| Codice Parte EBEE | E85268796 |
| Confezione | HiP-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $26.3568 | $ 26.3568 |
| 30+ | $25.1367 | $ 754.1010 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics SCTW60N120G2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 52mΩ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 20pF | |
| Pd - Power Dissipation | 389W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.969nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 113pF | |
| Gate Charge(Qg) | 94nC |
Guida all’acquisto
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