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STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTW40N120G2VAG |
| Codice Parte EBEE | E8472655 |
| Confezione | HiP-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 105mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 290W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Guida all’acquisto
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