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STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTW35N65G2VAG |
| Codice Parte EBEE | E83281062 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 1+ | $21.7765 | $ 21.7765 |
| 10+ | $20.8392 | $ 208.3920 |
| 30+ | $19.2147 | $ 576.4410 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 67mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 240W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
Guida all’acquisto
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