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STMicroelectronics SCTW100N65G2AG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTW100N65G2AG |
| Codice Parte EBEE | E8472654 |
| Confezione | HiP-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $41.6082 | $ 41.6082 |
| 30+ | $39.7535 | $ 1192.6050 |
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Specifiche
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics SCTW100N65G2AG | |
| RoHS |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $39.7535 | $ 1192.6050 |
