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STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTH35N65G2V-7AG |
| Codice Parte EBEE | E83288435 |
| Confezione | H2PAK-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | H2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9234 | $ 12.9234 |
| 30+ | $12.2744 | $ 368.2320 |
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Specifiche
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A |
Guida all’acquisto
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