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STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCTH35N65G2V-7 |
| Codice Parte EBEE | E82970626 |
| Confezione | H2PAK-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | H2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6529 | $ 11.6529 |
| 10+ | $11.1327 | $ 111.3270 |
| 30+ | $10.2315 | $ 306.9450 |
| 100+ | $9.4466 | $ 944.6600 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 67mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $11.6529 | $ 11.6529 |
| 10+ | $11.1327 | $ 111.3270 |
| 30+ | $10.2315 | $ 306.9450 |
| 100+ | $9.4466 | $ 944.6600 |
