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STMicroelectronics SCT50N120
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCT50N120 |
| Codice Parte EBEE | E82970314 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $41.5620 | $ 41.5620 |
| 30+ | $39.6364 | $ 1189.0920 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics SCT50N120 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 69mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 318W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 122nC |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $41.5620 | $ 41.5620 |
| 30+ | $39.6364 | $ 1189.0920 |
