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Slkor(SLKORMICRO Elec.) SL19N120A
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SL19N120A |
| Codice Parte EBEE | E82760944 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6063 | $ 5.6063 |
| 10+ | $4.8746 | $ 48.7460 |
| 30+ | $4.0177 | $ 120.5310 |
| 90+ | $3.6435 | $ 327.9150 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Slkor(SLKORMICRO Elec.) SL19N120A | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 160mΩ@20V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 134W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 895pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC |
Guida all’acquisto
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