Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Sichainsemi SG2M040120L
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SG2M040120L |
| Codice Parte EBEE | E837636037 |
| Confezione | TO-247-4L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>90 In Magazzino per Consegna Rapida
90 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3061 | $ 5.3061 |
| 10+ | $4.5234 | $ 45.2340 |
| 30+ | $4.0582 | $ 121.7460 |
| 90+ | $3.5882 | $ 322.9380 |
| 510+ | $3.3707 | $ 1719.0570 |
| 990+ | $3.2723 | $ 3239.5770 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Sichainsemi SG2M040120L | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 52mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 268W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 62A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.171nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 109pF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC |
Guida all’acquisto
Espandi
90 Stock for Shipping Fast
90 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3061 | $ 5.3061 |
| 10+ | $4.5234 | $ 45.2340 |
| 30+ | $4.0582 | $ 121.7460 |
| 90+ | $3.5882 | $ 322.9380 |
| 510+ | $3.3707 | $ 1719.0570 |
| 990+ | $3.2723 | $ 3239.5770 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
