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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | S1P05R120HBB |
| Codice Parte EBEE | E837636038 |
| Confezione | Through Hole,62.8x56.8mm |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | Plugin,62.8x56.8mm Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $70.1441 | $ 70.1441 |
| 24+ | $66.6190 | $ 1598.8560 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Sichainsemi S1P05R120HBB | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $70.1441 | $ 70.1441 |
| 24+ | $66.6190 | $ 1598.8560 |
