15% off
Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Sichainsemi S1M075120J2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | S1M075120J2 |
| Codice Parte EBEE | E822363611 |
| Confezione | TO-263-7L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | None |
| Descrizione | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>86 In Magazzino per Consegna Rapida
86 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7572 | $ 2.7572 |
| 10+ | $2.6213 | $ 26.2130 |
| 50+ | $2.5419 | $ 127.0950 |
| 100+ | $2.4599 | $ 245.9900 |
| 500+ | $2.4222 | $ 1211.1000 |
| 1000+ | $2.4060 | $ 2406.0000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Sichainsemi S1M075120J2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 75mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 169W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 39A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.02nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Guida all’acquisto
Espandi
86 Stock for Shipping Fast
86 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7572 | $ 2.7572 |
| 10+ | $2.6213 | $ 26.2130 |
| 50+ | $2.5419 | $ 127.0950 |
| 100+ | $2.4599 | $ 245.9900 |
| 500+ | $2.4222 | $ 1211.1000 |
| 1000+ | $2.4060 | $ 2406.0000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
