15% off
Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Sichainsemi S1M075120D2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | S1M075120D2 |
| Codice Parte EBEE | E822363610 |
| Confezione | TO-247-3L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | None |
| Descrizione | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>570 In Magazzino per Consegna Rapida
570 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8745 | $ 2.8745 |
| 10+ | $2.4859 | $ 24.8590 |
| 30+ | $2.2538 | $ 67.6140 |
| 90+ | $2.0203 | $ 181.8270 |
| 510+ | $1.9123 | $ 975.2730 |
| 990+ | $1.8638 | $ 1845.1620 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Sichainsemi S1M075120D2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 75mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 44A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.02nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Guida all’acquisto
Espandi
570 Stock for Shipping Fast
570 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8745 | $ 2.8745 |
| 10+ | $2.4859 | $ 24.8590 |
| 30+ | $2.2538 | $ 67.6140 |
| 90+ | $2.0203 | $ 181.8270 |
| 510+ | $1.9123 | $ 975.2730 |
| 990+ | $1.8638 | $ 1845.1620 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
