| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | S1M007120PD |
| Codice Parte EBEE | E837636035 |
| Confezione | TO-247-4L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $99.6867 | $ 99.6867 |
| 200+ | $39.7770 | $ 7955.4000 |
| 500+ | $38.4468 | $ 19223.4000 |
| 1000+ | $37.7898 | $ 37789.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Sichainsemi S1M007120PD | |
| RoHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $99.6867 | $ 99.6867 |
| 200+ | $39.7770 | $ 7955.4000 |
| 500+ | $38.4468 | $ 19223.4000 |
| 1000+ | $37.7898 | $ 37789.8000 |
