| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SCT3120ALGC11 |
| Codice Parte EBEE | E8191056 |
| Confezione | TO-247AC-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247AC-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8296 | $ 5.8296 |
| 10+ | $5.0738 | $ 50.7380 |
| 30+ | $4.6137 | $ 138.4110 |
| 90+ | $4.2284 | $ 380.5560 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | ROHM Semicon SCT3120ALGC11 | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 103W | |
| Corrente di scarico continuo | 21A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| V (BR)DSS | 650V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8296 | $ 5.8296 |
| 10+ | $5.0738 | $ 50.7380 |
| 30+ | $4.6137 | $ 138.4110 |
| 90+ | $4.2284 | $ 380.5560 |
