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ROHM Semicon BSM300C12P3E301
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BSM300C12P3E301 |
| Codice Parte EBEE | E86132527 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $414.7914 | $ 414.7914 |
| 200+ | $389.5725 | $ 77914.5000 |
| 500+ | $376.5542 | $ 188277.1000 |
| 1000+ | $370.1216 | $ 370121.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | ROHM Semicon BSM300C12P3E301 | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 1360W | |
| Corrente di scarico continuo | 300A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
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