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ROHM Semicon BSM180C12P2E202
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BSM180C12P2E202 |
| Codice Parte EBEE | E85955632 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $290.3541 | $ 290.3541 |
| 200+ | $272.6993 | $ 54539.8600 |
| 500+ | $263.5872 | $ 131793.6000 |
| 1000+ | $259.0841 | $ 259084.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 1360W | |
| Corrente di scarico continuo | 204A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
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| 1000+ | $259.0841 | $ 259084.1000 |
