| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | UJ3C120080K3S |
| Codice Parte EBEE | E86731596 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.9396 | $ 30.9396 |
| 10+ | $30.0577 | $ 300.5770 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Qorvo UJ3C120080K3S | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 254.2W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.9396 | $ 30.9396 |
| 10+ | $30.0577 | $ 300.5770 |
