| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | UF4SC120023K4S |
| Codice Parte EBEE | E86343383 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.7201 | $ 60.7201 |
| 210+ | $24.2279 | $ 5087.8590 |
| 510+ | $23.4193 | $ 11943.8430 |
| 990+ | $23.0177 | $ 22787.5230 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Qorvo UF4SC120023K4S | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 385W | |
| Corrente di scarico continuo | 53A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.7201 | $ 60.7201 |
| 210+ | $24.2279 | $ 5087.8590 |
| 510+ | $23.4193 | $ 11943.8430 |
| 990+ | $23.0177 | $ 22787.5230 |
