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Qorvo UF4SC120023K4S


Produttore
Codice Parte Mfr.
UF4SC120023K4S
Codice Parte EBEE
E86343383
Confezione
-
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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In Magazzino : Si Prega di Richiedere

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Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$60.7201$ 60.7201
210+$24.2279$ 5087.8590
510+$23.4193$ 11943.8430
990+$23.0177$ 22787.5230
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaQorvo UF4SC120023K4S
RoHS
La dissipazione di potenza385W
Corrente di scarico continuo53A
Tipo di canale1 N-Channel
Tensione di sorgente di scarico1200V

Guida all’acquisto

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