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Qorvo UF4C120053K4S
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | UF4C120053K4S |
| Codice Parte EBEE | E86006292 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $29.7422 | $ 29.7422 |
| 210+ | $11.8685 | $ 2492.3850 |
| 510+ | $11.4706 | $ 5850.0060 |
| 990+ | $11.2752 | $ 11162.4480 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Qorvo UF4C120053K4S | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 263W | |
| Corrente di scarico continuo | 34A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
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| 510+ | $11.4706 | $ 5850.0060 |
| 990+ | $11.2752 | $ 11162.4480 |
