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Qorvo UF3C120150K4S
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | UF3C120150K4S |
| Codice Parte EBEE | E87136718 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7266 | $ 16.7266 |
| 210+ | $6.6746 | $ 1401.6660 |
| 510+ | $6.4516 | $ 3290.3160 |
| 990+ | $6.3418 | $ 6278.3820 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Qorvo UF3C120150K4S | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 166.7W | |
| Corrente di scarico continuo | 18.4A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
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| 510+ | $6.4516 | $ 3290.3160 |
| 990+ | $6.3418 | $ 6278.3820 |
