| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | UF3C065030K4S |
| Codice Parte EBEE | E86581986 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.9893 | $ 39.9893 |
| 210+ | $15.9557 | $ 3350.6970 |
| 510+ | $15.4224 | $ 7865.4240 |
| 990+ | $15.1592 | $ 15007.6080 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Qorvo UF3C065030K4S | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 441W | |
| Corrente di scarico continuo | 85A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 650V |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.9893 | $ 39.9893 |
| 210+ | $15.9557 | $ 3350.6970 |
| 510+ | $15.4224 | $ 7865.4240 |
| 990+ | $15.1592 | $ 15007.6080 |
